IPG20N10S4L-35 是一款由 Infineon（英飛凌）生產的雙 N 溝道 MOSFET，屬于 OptiMOS? 系列。
IPG20N10S4L-35 技術規(guī)格參數
漏源電壓 (Vdss)：100V
連續(xù)漏極電流 (Id)：20A
導通電阻 (RDS(on))：35mΩ @ 17A、10V
柵極閾值電壓 (Vgs(th))：1.5V 至 4.0V
封裝類型：PG-TDSON-8
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
IPG20N10S4L-35 功能特性
低導通電阻：在高電流下提供低功耗。
高電流能力：20A 的連續(xù)漏極電流，適合高功率應用。
邏輯電平兼容：適用于多種控制邏輯。
汽車級認證：符合 AEC-Q101 標準，適用于汽車應用。
IPG20N10S4L-35 應用領域
汽車電子：適用于汽車中的各種電子系統(tǒng)，如 LED 照明、電機驅動等。
工業(yè)控制：用于工業(yè)設備中的電機驅動和電源管理。
LED 照明：提供高效的電源管理解決方案。
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