商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
NTP185N60S5H 是一款由安森美(onsemi)生產(chǎn)的SUPERFET? V MOSFET 晶體管。該器件采用TO-220-3封裝,適用于電信電源、工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電器等高效開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景?。
NTP185N60S5H 主要參數(shù)包括:
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):185 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.3V @ 1.4mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1350 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):116W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
NTP185N60S5H 產(chǎn)品特性:
快速開關(guān)性能與堅(jiān)固的體二極管
超低柵極電荷(典型值 Qg = 25 nC)
低時(shí)間相關(guān)輸出電容(典型值 COSS(tr.) = 372 pF) 650 V @ TJ = 150°C COSS(tr.) = 372 pF)
650 V @ TJ = 150°C
Typ. RDS(on) = 148 m Ω
100%雪崩測(cè)試
符合 RoHS 規(guī)范
內(nèi)部柵極電阻: 0.9 Ω
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NVH4L050N65S3F
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