商品名稱：NCV78763MW1AR2G
數據手冊：
NCV78763MW1AR2G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：32-VQFN
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
NCV78763MW1AR2G 最適用于大電流 LED，通過兩個內部獨立降壓開關通道輸出，提供了驅動兩個高達 60 V 電壓串的完整解決方案，只需最少的外部元件。
產品特性
單芯片升壓-降壓解決方案
高達 60 V 的兩個 LED 串
每個輸出高達 1.6 A DC 的高電流能力
整體系統(tǒng)效率高
外部元件最少
有源輸入濾波器，可降低來自電池的電流紋波
集成開關模式降壓電流調節(jié)器
集成升壓電流模式控制器
可編程輸入電流限制
通過 LED 的平均電流調節(jié)
工作頻率高，可減小電感器尺寸
集成式 PWM 調光，頻率范圍廣
用于 LED 開關和調光的低 EMC 輻射
用于動態(tài)控制系統(tǒng)參數的 SPI 接口
典型應用
前照燈遠光燈和近光燈
日間行車燈 (DRL)
位置燈或駐車燈
轉向指示燈
霧燈和靜態(tài)彎道燈
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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