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GAN190-650EBEZ 是一款通用型 650 V、190 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 表面貼裝封裝。它是一款常關型電子模式器件，具有卓越的性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術：GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：11.5A（Ta）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 190 毫歐 @ 3.9A，6V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 12.2mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-1.4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 96 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值）： 125W（Ta）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝，可潤濕側翼  

供應商器件封裝： DFN8080-8  

封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤

應用

高功率密度和高效率電源轉換

交流-直流轉換器、圖騰柱 PFC

直流-直流轉換器

快速電池充電、手機、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C 充電器

數(shù)據(jù)通信和電信（AC-DC 和 DC-DC）轉換器

電機驅動器

太陽能（光伏）逆變器

D 類音頻放大器、電視 PSU 和 LED 驅動器

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