商品名稱:STL120N10F8
數(shù)據(jù)手冊(cè):STL120N10F8.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STL120N10F8 N-溝道增強(qiáng)模式標(biāo)準(zhǔn)級(jí)100V,最高4.6mohm,125A STripFET F8功率MOSFET(采用PowerFLAT 5x6封裝)。
這款 N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵結(jié)構(gòu)。
它能確保極低的導(dǎo)通電阻,同時(shí)降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開(kāi)關(guān)。
規(guī)格
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT 5x6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 125 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
下降時(shí)間: 17 ns
上升時(shí)間: 16 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 41 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
單位重量: 76 mg
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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