商品名稱:STGYA75H120DF2
數(shù)據(jù)手冊(cè):STGYA75H120DF2.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STGYA75H120DF2 1200V H 系列溝槽式柵極場(chǎng)終止型 IGBT 是采用先進(jìn)的、具有專利的溝槽式柵極和場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開發(fā)的高速 IGBT。
產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: MAX257-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 150 A
Pd-功率耗散: 750 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 75 A
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
應(yīng)用
不間斷電源
電焊機(jī)
光伏逆變器
功率因數(shù)校正
高頻轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
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