商品名稱：BUK9Y1R3-40HX
數(shù)據(jù)手冊：
BUK9Y1R3-40HX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK56
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BUK9Y1R3-40HX N通道40V Trench 9 MOSFET具有較高的功率密度和效率，RDSon范圍為1.3mΩ，具有出色的單觸發(fā)或重復性雪崩性能。該MOSFET符合AEC-Q101標準，且超越了這一國際汽車級標準的要求。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-56-5
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 190 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.05 V
Qg-柵極電荷: 99 nC
最小工作溫度: - 55°C
最大工作溫度: + 175°C
Pd-功率耗散: 395 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
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PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
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GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
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GANE3R9-150QBAZ
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