商品名稱:NCP81599MNTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP81599MNTXG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:32-QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NCP81599MNTXG USB供電(PD)控制器是一款同步降壓升壓控制器,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為筆記本電腦、平板電腦和臺(tái)式機(jī)系統(tǒng)以及許多其他使用USB PD標(biāo)準(zhǔn)和C?型電纜的消費(fèi)電子設(shè)備所需的電源軌。
規(guī)格
輸出類型:晶體管驅(qū)動(dòng)器
功能:升壓/降壓
輸出配置:正
拓?fù)洌航祲?,升?/span>
輸出數(shù):4
輸出階段:2
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):4.5V ~ 28V
頻率 - 開(kāi)關(guān):150kHz ~ 1.2MHz
占空比(最大):-
同步整流器:是
時(shí)鐘同步:-
串行接口:I2C
控制特性:限流,使能,頻率控制,電源良好,斜坡,軟啟動(dòng),跟蹤
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:32-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:32-QFN(5x5)
基本產(chǎn)品編號(hào):NCP81599
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HSOIC-8
22500
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 0.8V 1 輸出 1A 8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 寬)
Renesas
SOIC-8
10000
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正或負(fù) 固定 -Vin,2Vin 1 輸出 45mA 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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