商品名稱:S70KL1282DPBHA023
數(shù)據(jù)手冊(cè):S70KL1282DPBHA023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S70KL1282DPBHA023 128MB HyperRAM?(PSRAM)器件是一款具有Hyperbus?接口的高速CMOS自刷新DRAM,其存儲(chǔ)陣列的內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似于DRAM,而外在行為則與SRAM相似。該產(chǎn)品非常適用于汽車、工業(yè)和通信領(lǐng)域等應(yīng)用。
規(guī)格
存儲(chǔ)器類型:易失
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)容量:128Mb
存儲(chǔ)器組織:16M x 8
存儲(chǔ)器接口:HyperBus
時(shí)鐘頻率:166 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁:36ns
訪問時(shí)間:36 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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