商品名稱:NCP51561DADWR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP51561DADWR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP51561DADWR2G 5kVRMS隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于快速開關(guān),以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET電源開關(guān)。 4.5A/9.0A NCP51561柵極驅(qū)動(dòng)器具有較短和匹配的傳播延遲。兩個(gè)獨(dú)立和5kVRMS(符合UL1577標(biāo)準(zhǔn))電流隔離柵極驅(qū)動(dòng)器通道可用于兩個(gè)低側(cè)、兩個(gè)高側(cè)開關(guān)或一個(gè)具有可編程死區(qū)時(shí)間的半橋驅(qū)動(dòng)器的任何可能配置。
規(guī)格
技術(shù):容性耦合
通道數(shù):2
電壓 - 隔離:5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值):200V/ns
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):58ns,58ns
脈寬失真(最大):5ns
上升/下降時(shí)間(典型值):11ns,10ns
電流 - 輸出高、低:9A,4.5A
電流 - 峰值輸出:4.5A,9A
電壓 - 正向 (Vf)(典型值):-
電壓 - 輸出供電:18.5V ~ 30V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC
認(rèn)證機(jī)構(gòu):CQC,UL,VDE
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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