商品名稱：MT53E512M64D2RR-046 WT:B
品牌：Micron
年份：23+
封裝：BGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MT53E512M64D2RR-046 WT:B 內(nèi)存針對電池供電應用中的功耗問題進行了優(yōu)化。這些存儲器件的峰值帶寬比 DDR4 快 33%。LPDDR4 存儲器在待機模式下的功耗比標準 DRAM 低 5 倍。LPDDR4 存儲器優(yōu)化了 x16、x32 和 x64 配置，為某些應用節(jié)省了 BOM。LPDDR4 存儲器集性能、功耗、延遲和物理空間于一身，因此非常節(jié)能。
特點
經(jīng)過優(yōu)化，可解決電池供電應用中的功耗問題
待機模式下的功耗比標準 DRAM 低 5 倍
多芯片封裝 (MCP) 和片上封裝 (PoP) 設(shè)計可節(jié)省 PCB 空間
峰值帶寬比 DDR4 快 33
應用
手機
電池供電應用
超便攜設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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