商品名稱:NVMFSC0D9N04CL
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMFSC0D9N04CL.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMFSC0D9N04CL 安森美半導(dǎo)體NVMFSCx 40V和60V汽車用功率MOSFET采用5mm x 6mm雙面冷卻封裝,非常適合緊湊高效的設(shè)計(jì)。這些單N通道器件具有1.5mΩ和0.9mΩ RDS(on)(漏極-源極導(dǎo)通電阻),可最大限度降低導(dǎo)通損耗。該MOSFET包含可濕性側(cè)翼選項(xiàng),用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)。該器件還符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能,因此適合用于汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Ta),316A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.87 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):86 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):6100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):4.1W(Ta),166W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6.15)
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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