商品名稱:NVMTS4D3N15MC
數(shù)據(jù)手冊:NVMTS4D3N15MC.PDF
品牌:ADI
年份:23+
封裝:8-DFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMTS4D3N15MC 安森美半導(dǎo)體單N溝道功率MOSFET是一款小尺寸、設(shè)計緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,工作溫度范圍為- 55°C至175°。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),165A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):4.45 毫歐 @ 95A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 521μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):79 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6514 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):5W(Ta),292W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-DFNW(8.3x8.4)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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