商品名稱:NCP51561BADWR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP51561BADWR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NCP51561BADWR2G 是隔離型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,源極和灌極峰值電流分別為 4.5A/9A 。它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速開關(guān),以驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率開關(guān)。NCP51561 傳播延遲短且匹配。
產(chǎn)品特性
4.5A 峰值源極、9A 峰值漏極輸出電流能力
靈活: 雙低壓側(cè)、雙高壓側(cè)或半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器均具有獨(dú)立的 UVLO 保護(hù)功能
輸出電源電壓為 6.5 V 至 30 V,MOSFET 為 5V 和 8V,SiC 為 13V 和 17V UVLO,閾值。
共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI > 200 V/ns
典型傳播延遲 36 ns,最大延遲 5 ns。
5 ns 每通道最大延遲匹配
5 ns 最大脈寬調(diào)制失真
用戶可編程輸入邏輯
通過 ANB 的單或雙輸入模式
ENABLE 或 DISABLE 模式
用戶可編程死區(qū)時(shí)間
隔離和安全
輸出通道之間的峰值差分電壓
8000 VPK 強(qiáng)化隔離電壓
典型應(yīng)用
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? DC-DC 和 AC-DC 電源中的隔離轉(zhuǎn)換器
? 服務(wù)器、電信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施
? UPS 和太陽能逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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