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ISZ330N12LM6功率MOSFET是先進(jìn)的下一代創(chuàng)新性器件，性能極為出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圓技術(shù)，顯著提升了性能。與同類產(chǎn)品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并針對同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。另外，該器件具有更高的品質(zhì)因數(shù)（FOM - RDS(on) x Qg和Qgd），可讓設(shè)計人員提高效率并降低系統(tǒng)成本。OptiMOS 6保持了輸出更高功率的優(yōu)勢，其中RDS(on) 損耗顯著降低，從而在整個工作范圍內(nèi)進(jìn)一步提高了性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：120 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.7A（Ta），24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.3V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 11μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 60 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），43W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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