商品名稱：NXV08H300DT1
數(shù)據(jù)手冊：
NXV08H300DT1.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：17-PowerDIP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXV08H300DT1是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度檢測功能，適合48V輕度混合動(dòng)力汽車應(yīng)用。
特性
?2相MOSFET模塊：在客戶端，該模塊可通過組合2相輸出電源端子用作1/2橋MOSFET模塊
?用于低RthJc的電隔離DBC基板
?設(shè)計(jì)緊湊，模塊總電阻低
?模塊序列化，實(shí)現(xiàn)全面可追溯性
?模塊級(jí)AQG324合格。里面的組件是
AEC Q101（MOSFET）AEC Q200（無源元件）合格
?符合UL 94V?0標(biāo)準(zhǔn)
?該器件無鉛，符合RoHS規(guī)范
優(yōu)勢
?能夠設(shè)計(jì)小型、高效、可靠的系統(tǒng)，以降低車輛油耗和二氧化碳排放
?簡化車輛裝配
?通過模塊外殼和散熱器之間的熱接口材料直接安裝，降低了連接到散熱器的熱阻
?低電感
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊（0.846"，21.48mm）
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào)： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
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