商品名稱：NXV08H400XT2
數(shù)據(jù)手冊：
NXV08H400XT2.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：17-PowerDIP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXV08H400XT2是一款汽車雙半橋80V功率MOSFET模塊，具有溫度感應(yīng)和低熱阻，適合用于48V輕度混合汽車應(yīng)用。
特性
?2相MOSFET模塊：在客戶側(cè)，該模塊可通過組合2相輸出電源端子用作1/2橋MOSFET模塊
?用于低RthJc的電隔離DBC基板
?設(shè)計緊湊，模塊總電阻低
?模塊序列化，實現(xiàn)全面可追溯性
?模塊級AQG324合格。里面的組件是
AEC Q101（MOSFET）AEC Q200（無源元件）合格
?符合UL 94 V?0標(biāo)準(zhǔn)
?該器件無鉛，符合RoHS規(guī)范
型號
品牌
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數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預(yù)驅(qū)動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。電話咨詢：86-755-83294757
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