商品名稱:AR0132AT6R00XPEA0-DRBR
數(shù)據(jù)手冊:AR0132AT6R00XPEA0-DRBR.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:63-IBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AR0132AT6R00XPEA0-DRBR 是一款1/3 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,帶 1280H x 960V 有效像素陣列。它包含了多種復雜的攝像功能,如自動曝光控制、開窗,以及視頻和單幀模式。它適用于低光度和高動態(tài)范圍場景性能。它可通過一個簡單的雙線串行接口進行編程。AR0132AT 可產(chǎn)生非常清晰、銳利的數(shù)字圖像,并且能夠同時捕捉連續(xù)視頻和單幀圖像,適用于監(jiān)控和高清視頻等多種應用。
規(guī)格
類型:帶處理器的 CMOS
像素大?。?.75μm x 3.75μm
有源像素陣列:1280H x 960V
每秒幀數(shù):45
電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V
封裝/外殼:63-LBGA
供應商器件封裝:63-IBGA(9x9)
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
基本產(chǎn)品編號:AR0132
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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NB6N11SMNG
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AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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