商品名稱:AFGY120T65SPD
數(shù)據(jù)手冊:AFGY120T65SPD.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AFGY120T65SPD場終止型溝槽IGBT符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),導(dǎo)通和開關(guān)損耗極低。借助這些特性,可在各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行,具有出色的瞬態(tài)可靠性和低EMI。
安森美半導(dǎo)體AFGY120T65SPD IGBT具有出色的并行運行性能以及均衡的電流共享等優(yōu)勢。此外,AFGY120T65SPD IGBT具有緊密的參數(shù)分布、高輸入阻抗和短路耐受性。
特征
?AEC?Q101合格且具備PPAP能力
?極低飽和電壓:VCE(sat)=1.5 V(典型值)@IC=120 A
?最高結(jié)溫:TJ=175°C
?正溫度協(xié)同效應(yīng)
?緊密的參數(shù)分布
?高輸入阻抗
?100%的零件經(jīng)過動態(tài)測試
?短路堅固性>6 s@25°C
?與柔軟、快速恢復(fù)的極限二極管共同封裝
?該設(shè)備不含Pb?、無鹵素/BFR,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)勢
?極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,可在各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行
?堅固的瞬態(tài)可靠性
?平衡均流的卓越并聯(lián)運行性能
?低EMI
應(yīng)用
?HEV/EV牽引逆變器
?輔助DC/AC轉(zhuǎn)換器
?電機驅(qū)動
?其他需要高功率開關(guān)的動力傳動系應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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