商品名稱:AFGY160T65SPD-B4
數(shù)據手冊:AFGY160T65SPD-B4.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:19500 件
AFGY160T65SPD-B4是一款基于溝槽型場截止3技術的650 V 160 A IGBT。該產品根據Vcesat和Vth進行分檔,即每個獨立單元的頂部標記定義了特定器件的Vcesat和Vth范圍。這使客戶能夠平行組裝具有非常接近參數(shù)分布的單元。這使得在應用中能夠更好地分享電流。
屬性
IGBT 類型: 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 240 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) :480 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值) :2.05V @ 15V,160A
功率 - 最大值: 882 W
開關能量: 12.4mJ(開),5.7mJ(關)
輸入類型: 標準
柵極電荷: 245 nC
25°C 時 Td(開/關)值: 53ns/98ns
測試條件: 400V,160A,5歐姆,15V
反向恢復時間 (trr) :132 ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應商器件封裝: TO-247-3
應用
?電動汽車牽引變頻器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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