商品名稱:S25FL064LABNFM011
數(shù)據(jù)手冊:S25FL064LABNFM011.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:WSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S25FL064LABNFM011是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。
FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令,用于傳送地址和在時鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū),允許在一個操作中編程達256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。
該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外,該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。
特性
多I/O串行外設(shè)接口 (SPI)
時鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)選項
四外設(shè)接口(QPI)選項
擴展尋址:24位或32位地址選項
與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡
與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡
讀取
命令:正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O
模式:突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP),用于配置信息
程序架構(gòu)
256字節(jié)頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存
程序暫停和恢復(fù)
擦除架構(gòu)
統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除
統(tǒng)一32KB半塊擦除
統(tǒng)一64KB塊擦除
芯片擦除
擦除暫停和恢復(fù)
100,000次程序擦除周期
數(shù)據(jù)保留20年
典型技術(shù)
65nm浮柵技術(shù)
安全特性
狀態(tài)和配置寄存器保護
四個256字節(jié)安全區(qū)域,均位于主閃存陣列外部
傳統(tǒng)塊保護:塊范圍
單個和區(qū)域保護
單個塊鎖定:易失性單個扇區(qū)/塊
指針區(qū)域:非易失性扇區(qū)/塊范圍
電源鎖定、密碼或永久保護安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域
單電源電壓,帶CMOS I/O:2.7V至3.6V
溫度范圍:符合汽車AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)1級(-40°C至+125°C)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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