商品名稱:NCP45750IMN24TWG
數(shù)據(jù)手冊:NCP45750IMN24TWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN-12
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:13490 件
NCP45750IMN24TWG是負(fù)載管理器件通過軟啟動為具有浪涌電流限制功能的高效功率域開關(guān)提供了一種減少元件和面積的解決方案。這些器件旨在將控制和驅(qū)動器功能與高性能、導(dǎo)通電阻極低的功率 MOSFET 集成在一個封裝中,通過故障保護(hù)和電源良好信號提供保護(hù)和監(jiān)控。這種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案非常適合 USB Type-C 端口中的電源管理和斷開功能,以及需要小尺寸低功耗的電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電
類型: Load Switch
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 10 A
導(dǎo)通電阻—最大值: 7 mOhms
運(yùn)行時間—最大值: 2.5 ms
空閑時間—最大值: 10 ns
工作電源電壓: 3 V to 5.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
典型應(yīng)用
USB C 型電源交付
服務(wù)器、機(jī)頂盒和網(wǎng)關(guān)
筆記本電腦和平板電腦
電信、網(wǎng)絡(luò)
醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備
熱插拔設(shè)備和外設(shè)端口
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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