商品名稱:NCP45760IMN24RTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP45760IMN24RTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN12
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:12000 件
NCP45760IMN24RTWG 負(fù)載管理器件通過(guò)軟啟動(dòng)為具有浪涌電流限制功能的高效功率域開(kāi)關(guān)提供了一種減少元件和面積的解決方案。該器件旨在將控制和驅(qū)動(dòng)器功能與背靠背高性能低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET 集成在一個(gè)封裝中。這種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案非常適合反向電流應(yīng)用以及 USB Type-C 和 Type-C Power Delivery 端口中使用的特定電源管理和斷開(kāi)功能。
功能特點(diǎn)
? 帶充電泵的高級(jí)控制器
? 具有低 RON 的集成式 N 溝道 MOSFET
? 通過(guò)受控壓擺率實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)
? 可調(diào)式壓擺率控制
? 帶電源良好輸出的故障檢測(cè)
? 熱關(guān)斷和欠壓鎖定
? 短路和可調(diào)過(guò)流保護(hù)
? 反向電流保護(hù)
? 輸入電壓范圍 3 V 至 24 V
? 待機(jī)電流極低
? 該器件無(wú)鉛,符合 RoHS/REACH 標(biāo)準(zhǔn)
典型應(yīng)用
? USB C 型電源交付
? 反向電流負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用
? 服務(wù)器、機(jī)頂盒和網(wǎng)關(guān)
? 筆記本電腦和平板電腦
? 電信、網(wǎng)絡(luò)、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備
? 熱插拔設(shè)備和外設(shè)端口
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
WSON-14
6000
具有可調(diào)節(jié)上升時(shí)間和輸出放電功能的 2 通道、5.5V、4A、25mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類(lèi)似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類(lèi)型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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