商品名稱:IPDQ60R022S7A
數(shù)據(jù)手冊:IPDQ60R022S7A.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-22-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
集成電路芯片 IPDQ60R022S7A N通道 600V CoolMOSTM SJ S7A功率器件,高壓功率MOSFET晶體管
型號:IPDQ60R022S7A
封裝:PG-HDSOP-22-1
類型:N通道MOSFET晶體管
產(chǎn)品規(guī)格
FET類型:N通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極-源極電壓(Vdss):600 V
電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極(Id):24A(Tc)
柵極電荷(Qg)(最大)@Vgs: 150nC@12V
Vgs(最大):±20V
輸入電容(Ciss)(最大)@Vds:5640 pF@300 V
功耗(最大):416W(Tc)
工作溫度:-40°C~150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:PG-HDSOP-22-1,22 PowerBSOP模塊
IPDQ60R022S7A技術(shù)能夠以最小的占地面積實(shí)現(xiàn)一流的RD(開)。Kelvin源引腳提高了高電流下的開關(guān)性能。
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描述
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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