商品名稱：STM32WLE4JBI6
數據手冊：
STM32WLE4JBI6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：UFBGA73
貨期：全新原裝
庫存數量：3000 件
STM32WLE4JBI6 器件基于高性能ARM? Cortex?-M4 32位RISC內核，采用 73 引腳 UFBGA 封裝，工作頻率高達48MHz。具有(G)FSK、(G)MSK和BPSK調制。該ARM內核執(zhí)行全套DSP指令和獨立存儲保護單元 (MPU)，增強應用安全性。
該MCU集成了高速存儲器（閃存高達128KB，SRAM高達64KB）和各種增強型I/O和外設。此外，這些遠距離MCU還具有一個12位ADC、一個12位DAC低功耗采樣保持、兩個超低功耗比較器（與高精度基準電壓發(fā)生器相關）。
STM32WLE4JBI6 器件包括一個低功耗RTC（帶一個32位亞秒喚醒計數器）、一個16位單通道定時器、兩個16位四通道定時器（支持電機控制）、一個32位四通道定時器和三個16位超低功耗定時器。它的工作溫度范圍為-40°C至+85°C，電源電壓范圍為1.8V至3.6V。借助全套省電模式，設計低功耗應用。
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C，具有無尾關斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā)，旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構，旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡，從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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