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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:ISK018NE1LM7AULA1

商品名稱:ISK018NE1LM7AULA1

數(shù)據(jù)手冊:ISK018NE1LM7AULA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:VSON-6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
ISK018NE1LM7AULA1
封裝
VSON-6
描述
表面貼裝型 N 通道 15 V 30A(Ta),129A(Tc) 2.1W(Ta),39W(Tc) PG-VSON-6-1

產(chǎn)品描述

ISK018NE1LM7AULA1 是業(yè)內(nèi)首款15 V額定溝槽式功率MOSFET產(chǎn)品組合的一部分,具有2.15 mOhm的極低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),同時提供超過500 A的脈沖電流能力,典型熱阻結(jié)到外殼底部(RTHJC)為1.6 K/W。4 mm2的小尺寸封裝可顯著節(jié)省空間,實現(xiàn)PCB布局靈活性,同時改善外形尺寸。


產(chǎn)品屬性:

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):15 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Ta),129A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,7V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,7V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 106μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):13.6 nC @ 7 V

Vgs(最大值):±7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 7.5 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),39W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-VSON-6-1

封裝/外殼:6-PowerVDFN


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封裝

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描述

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BSZ42DN25NS3G

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2000

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IRF1310NPBF

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30000

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10000

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STL26N60DM6

ST

PowerFLAT 8x8

3000

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IQE008N03LM5SC

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PG-WHSON-8

2000

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ISC055N15NM6

INFINEON

PG-TDSON-8

2000

OptiMOS? 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

ISC044N15NM6

INFINEON

PG-TSON-8

2000

OptiMOS? 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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