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商品名稱(chēng):S80KS2562GABHM023
數(shù)據(jù)手冊(cè):S80KS2562GABHM023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-VBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
S80KS2562GABHM023存儲(chǔ)芯片 24FBGA 偽SRAM存儲(chǔ)器
S80KS2562GABHM023的產(chǎn)品介紹
S80KS2562GABHM023是帶有HYPERBUS?接口的HYPERRAM?自刷新動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)。HYPERBUS?接口有一個(gè)8位(1字節(jié))寬的DDR數(shù)據(jù)總線(xiàn),只使用字寬(16位數(shù)據(jù))地址邊界。
產(chǎn)品屬性
存儲(chǔ)器類(lèi)型:揮發(fā)性
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM(偽SRAM)
存儲(chǔ)器大?。?56Mbit
存儲(chǔ)器組織:32M x 8
存儲(chǔ)器接口:HyperBus
時(shí)鐘頻率:200MHz
寫(xiě)入周期時(shí)間 - 字,頁(yè):35ns
訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:35 ns
電壓 - 電源:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 125°C (TA)
特點(diǎn)
性能、功率和封裝
200-MHz的最大時(shí)鐘速率
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)400 MBps (3,200 Mbps)
可配置的突發(fā)特性
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類(lèi)型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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