商品名稱:NVTFS020N06CTAG
數(shù)據(jù)手冊:NVTFS020N06CTAG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:WDFN-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVTFS020N06CTAG - 60V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品概述
NVTFS020N06CTAG 是汽車功率 MOSFET,采用 3.3 x 3.3 mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 7A(Ta),27A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 20.3 毫歐 @ 4A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 5.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 355 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),31W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 8-WDFN(3.3x3.3)
封裝/外殼 8-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
| 好大灬好硬灬好爽灬无码300 | 亚洲一级毛片无码无遮挡 | 免费一级全黄少妇性色 | 中文字幕在线免费视频 | 一级性生活久久无码 | 女人与公人强伦轩 | 99精品国自产在线观看无码不卡 | 在线不卡中文字幕播放 | 91无码人妻东京热精品一区 | 免费+高清+国产 | 人妻少妇嫩草被猛烈进入无码蜜桃 | 老师丝袜高跟无码影院 | 欧美黑大粗AAAAA级在线特区 | a 天堂在线免费观看 | 日本精品视频在线观看 | 又粗又猛又爽又黄的视频 | 蜜臀AV色欲AV噜噜AV | 最好看2019高清中文字幕全集剧情 | 免费十无码十国产在线 | AV一卡二卡三卡 | 91丨露脸丨熟女抽搐 | 免费看的强伦轩一级A片在线观看 | 九九精品一二三区 | 午夜成成人免费视频福利网站 | 波多野吉衣在线视频 | 欧美成人小说绿色xxx | 国产做爰XXXⅩ高潮视频12p | 国产无套内谢视频 | 亚洲A片一区二区三区久久杨贵妃 | 亚洲毛片一级av | 性欧美性受xxxx黑人xyx性爽 | 欧一美一交一乱一色一按 | 国产精品久久久久久久久久久免费看 | 国产精品无码久久久 | 91久久婷婷国产麻豆精品电影 | 荫蒂添到男人添视频 | 777人澡人妻人人做人人爽 | www.91xxxx | 国精产牛牛一区一区三区有 | 岳胥乱一区二区三区四区视频奖学金的意义 |