商品名稱:NTMFD5C674NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NTMFD5C674NLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFD5C674NLT1G 是 60V 雙 N 溝道工業(yè)功率 MOSFET 晶體管,采用 5x6 mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設計而設計,具有高散熱性能。
產(chǎn)品屬性
技術 MOSFET(金屬氧化物)
配置 2 N 溝道(雙通道)
漏極至源極電壓 (Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C 11A(Ta),42A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 25μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds 640pF @ 25V
功率 - 最大 3W(Ta),37W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerTDFN
供應商器件封裝 8-DFN (5x6) 雙旗 (SO8FL-Dual)
應用
電機控制
同步直流至直流穩(wěn)壓器
電源開關(高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等)
電池管理和保護
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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