商品名稱:氮化鎵 (GaN) IC
數(shù)據(jù)手冊:LMG3425R030RQZR.pdf
品牌:TI
年份:25+
封裝:VQFN54
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間,這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式,該模式通過啟用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能來降低第三象限損耗。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告,這可簡化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。
特性
? 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
? 帶集成柵極驅(qū)動器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
2.2MHz 開關(guān)頻率
30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
? 強(qiáng)大的保護(hù)
響應(yīng)時(shí)間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
? 高級電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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德州儀器(Texas Instruments),簡稱TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實(shí)世界的信號處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個(gè)國家設(shè)有制造…
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