商品名稱:NCP81523RMNTXG
品牌:ON
年份:23+
封裝:QFN-52
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP81523RMNTXG 是一款雙軌、四加一相降壓解決方案,針對英特爾IMVP9.1 CPU進(jìn)行了優(yōu)化。多相軌道控制系統(tǒng)基于雙邊沿脈寬調(diào)制(PWM)和DCR電流檢測。這提供了對動(dòng)態(tài)負(fù)載事件的超快速初始響應(yīng),并降低了系統(tǒng)成本。NCP81523具有超低失調(diào)電流監(jiān)控放大器,該放大器具有可編程失調(diào)補(bǔ)償功能,可用于高精度電流監(jiān)控。
特點(diǎn)
?VIN范圍:4.5 V至21 V
?啟動(dòng)至預(yù)充電負(fù)載,同時(shí)避免錯(cuò)誤OVP
?數(shù)字軟啟動(dòng)斜坡
?可調(diào)VBOOT
?高阻抗差分輸出電壓放大器
?雙VID表支持與IMVP9.1兼容
?支持高電流擴(kuò)展
?動(dòng)態(tài)參考注入
?可編程輸出電壓壓擺率
?動(dòng)態(tài)VID饋送?正向
?各相的差分電流檢測放大器
?可編程自適應(yīng)電壓定位(AVP)
?可調(diào)開關(guān)頻率范圍
?數(shù)字穩(wěn)定開關(guān)頻率
?超聲波操作
?支持噪音緩解功能
?支持VCCIN_輔助IMON輸入
?PSYS輸入監(jiān)視器(SVID地址0D)
?符合英特爾的IMVP9.1規(guī)范
?電流模式雙邊沿調(diào)制,可對瞬態(tài)負(fù)載做出快速初始響應(yīng)
?這是一款無Pb?器件
典型應(yīng)用
?臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和Ultra-Book電腦
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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