商品名稱:RHRPM4424LK02V
品牌:ST
年份:23+
封裝:Flat-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
RHRPM4424LK02V是一款靈活的高頻雙低壓側驅(qū)動器,專門設計用于在航空航天等高輻射環(huán)境中與高電容 MOSFET 和 IGBT 配合使用。輸出端可灌入和灌出 4.5 A 峰值電流。通過并聯(lián)兩個 PWM輸出并聯(lián),可獲得更大的驅(qū)動電流(峰值可達 9 A)。使用 CMOS/TTL 兼容型 PWM 信號,因此可由外部 PWM 控制器(如 STM)驅(qū)動。FLAT-16 版本符合行業(yè)標準引腳布局,每通道耗散功率可達 550 mW。
功能特點
● 寬工作電壓范圍: 4.65 V 至 18 V
● 并聯(lián)驅(qū)動能力高達 9 A
● 非反相配置
● 兼容輸入 5 V 邏輯電平
● 110 ns 典型傳播延遲
● 兩個通道之間的匹配傳播延遲(最大 5 ns)
● 20 mV 最大低電平輸出電壓
● 30 ns 上升和下降時間
● 信號地和電源地之間的 +/-5 V 共模跳變
應用
● 開關模式電源
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 電機控制器
● 線路驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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