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UF4SC120023B7SSR 是一款 1200V、23mΩ G4 SiC FET 晶體管。該 SiC FET 器件基于獨特的 "級聯(lián) "電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。

主要特性

導(dǎo)通電阻 RDS（on）： 23 歐姆（典型值）

工作溫度 175℃（最高）

出色的反向恢復(fù)： Qrr = 243nC

低體二極管 VFSD：1.2V

低柵極電荷： QG = 37.8nC

本征電容低

ESD 保護： HBM 2 級

典型應(yīng)用

電動汽車充電

光伏逆變器

開關(guān)模式電源

功率因數(shù)校正電路

直流-直流轉(zhuǎn)換器電路

感應(yīng)加熱

UF4SC120023B7SSR - 該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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