商品名稱:MSCSM120VR1M11CT6AG
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MSCSM120VR1M11CT6AG具有SiC 功率 MOSFET,低 RDS(導通),高溫性能,開爾文源,易于驅(qū)動。雜散電感低,高效率轉(zhuǎn)換器,高頻工作時性能卓越,穩(wěn)定的溫度特性。直接安裝到散熱片上(隔離封裝),結(jié)殼熱阻低,符合 RoHS 規(guī)范。
產(chǎn)品屬性
技術:碳化硅(SiC)
配置:2 N 溝道(相角)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):251A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):10.4 毫歐 @ 120A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 9mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):696nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值:9000pF @ 1000V
功率 - 最大值:1.042kW(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應用
●功率因數(shù)校正
●開關電源
●不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關注嵌入控制半導體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
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