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描述：BSZ010NE2LS5功率MOSFET是優(yōu)化效率和功率密度解決方案的最佳選擇，例如開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。與之前的OptiMOS MOSFET產(chǎn)品相比，RDS（on）顯著降低，從而提高了系統(tǒng)效率。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3900 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號：BSZ010

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