商品名稱:柵極驅(qū)動(dòng)器
品牌:ON
年份:24+
封裝:WDFN-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
FAN8811MNTXG - 高頻、高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)品概述
FAN8811MNTXG 是一款高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 80 V 的 MOSFET。驅(qū)動(dòng)器 IC 的低延遲時(shí)間和匹配的 PWM 輸入傳播延遲進(jìn)一步提高了該器件的性能。
FAN8811 - 簡化框圖:
主要特性
- 在高端和低端驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
- 用于高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)的集成自舉二極管
- 自舉電源電壓范圍高達(dá) 100 V
- 3 A 源、6 A 灌輸出電流能力
- 驅(qū)動(dòng) 1 nF 負(fù)載,典型上升/下降時(shí)間為 6 ns/4 ns
- TTL 兼容輸入閾值
- 寬電源電壓范圍 7.5 V 至 16 V
(絕對(duì)最大值為 18 V)
- 快速傳播延遲時(shí)間(典型值 30 ns)
- 2 ns 延遲匹配(典型值)
- 驅(qū)動(dòng)電壓欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
- 工作結(jié)溫范圍 -40°C 至 125°C
典型應(yīng)用
- 電信和數(shù)據(jù)通信電源
- 半橋和全橋轉(zhuǎn)換器
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 雙開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器
- D 類音頻放大器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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