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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:BM3G015MUV-LBE2

商品名稱:氮化鎵晶體管

品牌:ROHM

年份:24+

封裝:VQFN-46

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ROHM
型號
BM3G015MUV-LBE2
封裝
VQFN-46
描述
Nano Cap?,EcoGaN?,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率級 IC

產(chǎn)品描述

BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝,與以往的分立解決方案相比,由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。另外,其柵極驅(qū)動強度可調(diào)節(jié),這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護功能和其他附加功能,可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設計旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器,因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。


特點: 

Nano Cap? 集成輸出可選 5V LDO

長期支持工業(yè)應用的產(chǎn)品

VDD 引腳電壓工作范圍寬

IN 引腳電壓工作范圍寬

低 VDD 靜態(tài)和工作電流

低傳播延遲

高 dv/dt 抗擾度

可調(diào)柵極驅(qū)動強度

電源良好信號輸出

VDD UVLO 保護

熱關(guān)斷保護


應用:

? 工業(yè)設備、高功率密度、高效率要求或橋式拓撲的電源,如圖騰柱 PFC、LLC 電源、適配器等。

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封裝

數(shù)量

描述

IGLD65R080D2

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3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,2.4 m?

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GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3,1.8 m?

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GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ

IGB070S10S1

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3000

GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

ROHM

ROHM

羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。

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