商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
E3M0060065D - 650V、60mΩ、37A E-系列汽車碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TO-247-3 封裝
產(chǎn)品概述
E3M0060065D 是采用 TO-247-3 封裝的 650V 碳化硅 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,該系列產(chǎn)品具有汽車認(rèn)證、PPAP 能力和防潮 MOSFET。它采用了 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),具有業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的性能指標(biāo)。E 系列 MOSFET 經(jīng)過優(yōu)化,可用于電動(dòng)汽車電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,并在 Wolfspeed 的 6.6kW 雙向板載充電器參考設(shè)計(jì)中得到應(yīng)用。
主要特點(diǎn)
通過汽車行業(yè)認(rèn)證(AEC-Q101),并具備 PPAP 能力
在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)具有高擊穿電壓
高速開關(guān),輸出電容低
高阻塞電壓,低 RDS(on)
快速本征二極管,反向恢復(fù) (Qrr) 低
優(yōu)勢
耐高壓、高溫和高濕度,真正實(shí)現(xiàn)了太陽能轉(zhuǎn)換和車外充電的戶外應(yīng)用
降低冷卻要求
顯著縮小系統(tǒng)尺寸
易于并聯(lián),驅(qū)動(dòng)簡單
減輕續(xù)航焦慮,加快充電速度
應(yīng)用
電動(dòng)汽車車載充電器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車暖通空調(diào)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
傳動(dòng)系統(tǒng)牽引逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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