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CGH40006S 是一款6W 氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40006在28V的電壓下工作；提供了一個(gè)通用的；各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使CGH40006成為線性和壓縮放大器電路的理想之選。

規(guī)格

晶體管類型：HEMT

技術(shù)：GaN

工作頻率：2 GHz to 6 GHz

增益：13 dB

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：120 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 ：- 10 V to 2 V

Id-連續(xù)漏極電流：750 mA

輸出功率：6.9 W

最大漏極/柵極電壓：-

最小工作溫度：- 40°C

最大工作溫度：+ 150°C

Pd-功率耗散：-

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：QFN-6

應(yīng)用：-

配置：Single

開(kāi)發(fā)套件：CGH40006S-KIT

高度：1 mm

長(zhǎng)度：3.15 mm

濕度敏感性：Yes

產(chǎn)品：GaN HEMTs

產(chǎn)品類型：RF JFET Transistors

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：-

Vgs th-柵源極閾值電壓：- 3 V

寬度：3.15 mm

單位重量：2.898 g

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