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AIMBG75R090M1H是一款采用 TO263-7 封裝的750 V、24A汽車類碳化硅MOSFET分立器件。此器件適用于電動汽車用高壓DC-DC變換器和電動汽車車載電池充電器(OBC)。

英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tj）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 7.4A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：542 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：128W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7

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