商品名稱:32位微控制器 - MCU
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:VQFN-32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
PIC32CX5109BZ31032T-V/RTB - 具有高級安全性和強大模擬功能的 ARM? Cortex? M4F 多協(xié)議 MCU SoC
PIC32CX5109BZ31032T-V/RTB - 產(chǎn)品描述:
PIC32CX5109BZ31032T-V/RTB 是一款安全、低成本的 32 位微控制器,內(nèi)置經(jīng)藍牙? 和 Zigbee? 認證的無線子系統(tǒng)。PIC32CX5109BZ31032 采用 64 MHz ARM? Cortex? M4F 處理器,功能豐富,從底層設計開始就能幫助您快速進入市場。
PIC32CX5109BZ31032T-V/RTB - 產(chǎn)品特性:
64 MHz Arm Cortex M4F 處理器
512 kB 閃存,帶糾錯碼 (ECC)
96 kB 多端口可編程服務質(zhì)量 (QoS) SRAM
高達 32 kB 的 SRAM 保留備份
64 kB ROM,用于安全啟動
32 通道事件系統(tǒng)
16 通道直接內(nèi)存訪問控制器 (DMAC)
內(nèi)部和外部時鐘選項
串行通信 USART、I2C、SPI、RS485、LIN
支持就地執(zhí)行 (XIP) 的四路 SPI
12 位、2 Msps 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)
多達四個用于觸摸的電容分壓器 (CVD) 通道
7 位通用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)
多達 14 個 GPIO
八個 16 位定時器/計數(shù)器 (TC)
用于控制的 24 位和 16 位定時器/計數(shù)器 (TCC)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關(guān)注嵌入控制半導體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領先的技術(shù)硅設計和壽命控制流程,實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應用于功率控制領域。基本參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),具有FLANGE MOUNT結(jié)構(gòu),適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術(shù)參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(…電話咨詢:86-755-83294757
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