商品名稱:SiC MOSFET 模塊
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:SP6P
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MSCSM70VR1M10CTPAG 是一款 700V、238A 的三路Vienna整流器碳化硅 (SiC) 電源模塊。
MSCSM70VR1M10CTPAG 的特點(diǎn)
碳化硅功率 MOSFET
低 RDS(導(dǎo)通)
高溫性能
碳化硅肖特基二極管
零反向恢復(fù)
零正向恢復(fù)
開關(guān)行為不受溫度影響
VF 正溫度系數(shù)
雜散電感極低
用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻
開爾文源,易于驅(qū)動
氮化鋁 (AlN) 襯底可提高熱性能
MSCSM70VR1M10CTPAG 的優(yōu)點(diǎn)
高頻工作時性能卓越
高功率、高效率整流器和轉(zhuǎn)換器
直接安裝到散熱器(隔離封裝)
結(jié)殼熱阻低
電源和信號端子均可焊接,便于 PCB 安裝
外形小巧
符合 RoHS 規(guī)范
MSCSM70VR1M10CTPAG 的應(yīng)用
功率因數(shù)校正
開關(guān)模式電源
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動全選項(xiàng)混合動力驅(qū)動 mSiC? MOSFET 模塊
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Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號:MCHP)美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計(jì)出 18 端口交換機(jī)。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機(jī),在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計(jì)出 26 端口交換機(jī)。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計(jì)和壽命控制流程,實(shí)現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應(yīng)用于功率控制領(lǐng)域?;緟?shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),具有FLANGE MOUNT結(jié)構(gòu),適用于各種工業(yè)應(yīng)用中的緊湊型設(shè)計(jì)需求。技術(shù)參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(…電話咨詢:86-755-83294757
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