商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Diodes
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
DMWSH120H90SCT7Q是一款1200V N溝道碳化硅功率MOSFET,采用TO-263-7封裝,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開(kāi)關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
DMWSH120H90SCT7Q的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:8.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S
Id-連續(xù)漏極電流:38.2 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-263-7
封裝:Tube
Pd-功率耗散:197 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:54.6 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:90 mOhms
上升時(shí)間:18.8 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17.2 ns
典型接通延遲時(shí)間:9.1 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 15 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Diodes Inc.成立於1966年,是美國(guó)Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
PI7C9X3G1632GPDHFCE
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DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開(kāi)關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開(kāi)關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H90SM3的規(guī)格:FET …DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開(kāi)關(guān)性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格:FET 類…電話咨詢:86-755-83294757
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