商品名稱:IMBF170R450M1
數(shù)據(jù)手冊:IMBF170R450M1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IMBF170R450M1 CoolSiC? 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離,針對反激式拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。
特征描述
針對反激式拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化
開關(guān)損耗極低
兼容反激式控制器的12 V / 0 V柵源電壓
完全可控的dV/dt,針對EMI進行優(yōu)化
SMD(表面貼裝)封裝具有增大的爬電距離和電氣間隙(> 7 mm)
優(yōu)勢
1700 V SiC MOSFET能實現(xiàn)簡單高效的單端反激式拓撲結(jié)構(gòu),適用于輔助電源
SMD(表面貼裝)封裝便于直接集成于PCB,能實現(xiàn)自然對流冷卻,無需額外的散熱器
由于產(chǎn)品封裝的爬電距離和電氣間隙增大,隔離工作量減少
降低系統(tǒng)復雜性
高功率密度
應用領域
儲能系統(tǒng)
電動汽車快速充電
電源
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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