商品名稱:IGBT 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1500 件
DF400R12KE3 - 62mm、1200V、400A 斬波器 IGBT 模塊
DF400R12KE3 - 產(chǎn)品屬性:
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
配置:?jiǎn)温?/span>
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):580 A
功率 - 最大值:2000 W
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,400A
電流 - 集電極截止(最大值):5 mA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):28 nF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無(wú)
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應(yīng)商器件封裝:模塊
功能概述:
變頻驅(qū)動(dòng)的出色解決方案
通過(guò) UL/CSA 的 UL1557 E83336 認(rèn)證
工作溫度范圍高達(dá) 125 °C (最高150 °C)
優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性,例如,柔度和降低開(kāi)關(guān)損耗
具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝
符合 RoHS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPD70R600P7S
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S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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