商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IQD063N15NM5SC是一款150V/151A、6.32 m?的OptiMOS功率MOSFET。
產(chǎn)品屬性:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PG-WHSON-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:151 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.6 V
Qg-柵極電荷:48 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:333 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
應(yīng)用:
低壓驅(qū)動
多軸飛行器
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動車
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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