商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IPDD60R180CM8:600V,CoolMOS? 8 N-通道功率MOSFET晶體管,PG-HDSOP-10
型號(hào):IPDD60R180CM8
封裝:PG-HDSOP-10
類型:N-通道功率MOSFET晶體管
IPDD60R180CM8 - 產(chǎn)品規(guī)格:
系列:CoolMOS?
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5.6A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.7V @ 140μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):743 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):169W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼:10-PowerSOP 模塊
應(yīng)用:
電源和轉(zhuǎn)換器
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器
高效開關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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