商品名稱(chēng):IMBG65R083M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R083M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
650V 晶體管 IMBG65R083M1HXTMA1 碳化硅 MOSFET 單管 TO-263-8
IMBG65R083M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類(lèi)型: N-溝道
技術(shù): SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 28A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 3.3mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 19 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 624 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 126W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7引線+焊片),TO-263CA
IMBG65R083M1HXTMA1的特點(diǎn)
低Qrr和Qoss
低開(kāi)關(guān)損耗
換向穩(wěn)健的快速體二極管
先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有出色的柵極氧化物可靠性
XT互連技術(shù),具有卓越的熱性能
增強(qiáng)的雪崩能力
SMD封裝,可直接集成到PCB上
用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的感測(cè)引腳
IMBG65R083M1HXTMA1是碳化硅MOSFET單管,采用緊湊的7引腳SMD封裝,旨在提高系統(tǒng)性能,減小尺寸并提高可靠性。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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