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SCT3105KLGC11 N-通道 SiC（碳化硅）功率MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：24A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 137 毫歐 @ 7.6A，18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 3.81mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 51 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 574 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 134W  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號(hào)： SCT3105

應(yīng)用

太陽能逆變器

直流/直流轉(zhuǎn)換器

開關(guān)模式電源

感應(yīng)加熱

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

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