商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4400 件
IPDD60R050G7是英飛凌現(xiàn)創(chuàng)新推出雙 DPAK (D-DPAK),這是首款頂部冷卻 SMD 封裝,主要面向大功率 SMPS 應(yīng)用,如 PC 電源、太陽能、服務(wù)器和電信設(shè)備等應(yīng)用。
特性
提供一流的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
創(chuàng)新的頂部散熱理念;
內(nèi)置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感;
超過 2000 周期的 TCOB 能力,符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛等
IPDD60R050G7產(chǎn)品屬性:
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-10
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 3 ns
上升時間: 6 ns
典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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